Resumo:
As empresas de semicondutores após realizarem seu processo de fabricação de chips encapsulados, geram resíduos sólidos. Alguns destes resíduos são compostos, predominantemente, por silício de alta pureza livre de contaminantes. Este trabalho teve como objetivo a caracterização física, química e mineralógica do resíduo sólido proveniente do lixamento traseiro de wafers grau eletrônico, através de análises como granulometria a laser, difração de raios-X, FTIR-ATR e MEV-EDS. Foi identificada a presença majoritária de Si, em conjunto com SiC (dos abrasivos) e SiO2 (devido à oxidação superficial do silício durante o processo), em granulometria média de 7,98 ± 4,12 µm. A partir dos dados, foram identificadas potenciais utilizações do silício como coproduto para outras indústrias, destacando-se as aplicações em materiais termoelétricos, produção de hidrogênio e a utilização no desenvolvimento de baterias de íon-lítio.